Déjà la cinquième édition de mon article hebdomadaire consacré aux toutes nouvelles technologies.

Cette semaine au programme:

• Le microprocesseur élastique
• Des oursins dans les batteries
• Le transistor à 30 GHz

Le microprocesseur élastique
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Après les écrans flexibles de la semaine passée, on continue dans le souple avec des microprocesseur élastiques.
Une technique a en effet été mise au point pour permettre de créer des microprocesseurs ayant des caractéristiques mécaniques proches de celles du caoutchouc. Ce genre de processeurs, déjà possible grâce à l'utilisation de semi-conducteurs organiques, est désormais imaginable avec une technologie au silicium, offrant des performances bien supérieures.
Pour arriver à ce résultat, une technique particulière a été utilisée. En effet, le silicium est découpé en minuscules plaquettes très fines. Ces plaquettes sont ensuite déposées sur un polymère, qui servira de matrice et qui est lui même élastique. Enfin, l'on aura pris soin d'étirer un maximum ce polymère avant l'application des plaquettes. Une fois les plaquettes de silicium fixé à ce polymère, la tension sur celui-ci est relâchée et le processeur est prêt à fonctionner, tout en restant étirable ou pliable comme du caoutchouc.
À quand le téléphone portable que l'on portera comme un gant, l'ordinateur t-shirt ou le sac-à-dos serveur?

Des oursins dans les batteries
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Non, rassurez-vous, la batterie de votre prochain Mac-Book Pro ne sentira pas le poisson...
Il s'agit en fait d'une nouvelle sorte de nano-structure obtenue par le "Photonic Nanostructure Group" (PNG, mais pas les images) du Tyndall Institute basé à Cork (Irlande).
Cette structure donc, créée en nanotubes d'oxyde de vanadium, ressemble à un oursin de mer, est en fait due à la croissance de manière radiale et sphérique des dits nanotubes.
Hormis l'esthétique indéniable d'une telle découverte, quelque applications sont déjà envisagées, notamment dans les batteries, où la grande surface offerte par ces structures permet de stocker avec efficacité beaucoup de charges électriques (ions).
On ose donc entrevoir pour bientôt une amélioration sensible du rapport "volume / capacité" des batteries.

Le transistor à 30 GHz
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30Ghz, rien de moins, c'est la vitesse atteinte par un transistor réalisé à partir de nanotubes de carbone, sur substrat de silicium. C'est une équipe française qui est à l'origine de cet exploit, puisqu'il s'agit de chercheurs de l'Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) formée par le Centre National de Recherches Scientifiques (CNRS), les universités de Lille 1 et Valenciennes et par l'Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN).
Ce transistor, ou plutôt nanotransistor à donc une fréquence de coupure de 30Ghz, , améliorant d'un facteur quatre le précédent record établi par la même équipe. Certes, il est utilisé principalement en "interrupteur commandé", mais rien n'empêche la technologie de faire son travail ici aussi. Il est à noter que les différents procédés d'élaborations, ont été menés à température ambiante, ce qui rend possible la création de nanotransistors sur des substrats moins chers que le silicium, comme du verre ou du plastique, ouvrant ainsi d'autant plus la technologie au grand publique.